晶体管开关频率高的另一个优点是可以灵活地调节变频器的输出电压。晶体管开关频率高时，控制电路 只需控制逆变器晶体管的通与断，就能产生正弦的电机电流。

因为高频将导致电机发热和高的尖峰电压，所以逆变器的开关频率需衡权考虑。开关频率 越高，损耗就越大。

另一方面，开关频率低会使电机产生较高的音频噪声。

高频晶体管可分为三种主要类型：

双极型（LTR）

单极型（MOS-FET）

绝缘门双极型（IGBT）

现在 IGBT 晶体管得到了*广泛地 应用，因为它将 MOS-FET 晶体管的 控制特性和 LTR 晶体管的输出特性 结合在一起，具有适当的功率范围、导电性和开关频率，很适于现代变频 器的控制。

将 IGBT 晶体管、逆变器的元件及 IGBT 的控制部分同做在一个模块 上，这种模块称为智能功率模块 （IPM）。

下面介绍使用万用电表结型场效应管的测量

结型场效应管的内部结构如下图所示。由图可以看出，当栅源电压（VGS）为0V时，场效应管的导电沟道*宽，沟道电阻*小，漏极与源极是导通的，其电阻值为直流导通电阻Ron （约几KΩ），而栅极与其它极之间呈现单向导电性。因此使用万用表可以很方便的将栅极与其它两个极区分。源极和漏极不必再区分，因为结型场效应管允许源极和漏极互换使用。

测试方法：

使用指针式万用表Ω×1K档或数字万用电表档。

（1）找出栅极：栅极与其它两个极之间有单向导电性，而漏、源极之间正反向电阻相等。由此区分栅极。

（2）判断管子极性：根据栅极的单向导电性，可以判断管子是N沟道型或P沟道型。

（3）判断管子好坏：将表笔连接在已测出的源极和漏极上，观察并记录读数，这个数值越小，说明场效应管的导通电阻（Ron）越小；然后用手捏住栅极，万用表读数会有改变，数值变化越大，说明管子的放大倍数（跨导gm）越大。Ron小、gm大的管子质量好。

                                                                                                          本文摘自 网络 2019年4月19日